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碲镉汞液相表延体例成长肇端温度的准确局限手

作者:admin 发布时间:2021-09-26

  (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号 CN102061518B (43)申请公布日 2012.06.27 (21)申请号 CN9.3 (22)申请日 2010.11.26 (71)申请人 中国科学院上海技术物理研究所 地址 200083 上海市玉田路 500 号 (72)发明人 张传杰;陈晓静;魏彦锋;杨建荣 (74)专利代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 郭英 (51)Int.CI 权利要求说明书 说明书 幅图 (54)发明名称 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法 (57)摘要 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外 延工艺中的起始生长温度精确控制方法,其 特征是:在预生长之前增加一个二次降温过 程,保证预生长温度高于生长温度并在一个 允许范围内;在母液温度接近需要控制的开 始生长温度前进行一次尝试性的短时间生 长,观察样品架温度的变化情况来决定正式 开始生长的时机。该方法的优点是:可以精 确控制碲镉汞垂直液相外延系统的起始生长 温度,既不会因为碲锌镉衬底过分回融导致 生长组分偏高,也不会因为起始生长温度过 低,导致样品架和衬底表面严重疯长,影响 外延层的质量和外延的成品率。 法律状态 法律状态公告日 2011-05-18 2011-07-20 2012-06-27 法律状态信息 公开 实质审查的生效 授权 法律状态 公开 实质审查的生效 授权 权利要求说明书 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看 说明书 碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法的说明书内容是....请下载后查看

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